NCE0106AR_NCEP040N10導(dǎo)讀
它們的各種開關(guān)動(dòng)作幾乎是一致，當(dāng)然燒壞時(shí)，肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。
而電動(dòng)車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。我們所見的mos管，其實(shí)內(nèi)部由成千上萬個(gè)小mos管并聯(lián)而成，大家可能會(huì)想成千上萬個(gè)小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個(gè)或幾個(gè)壞的吧，其實(shí)真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。
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NCE1579A
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
MOS管3306產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設(shè)備 3、低電阻開關(guān)，減少導(dǎo)電損耗 4、高雪崩電流。
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NCEP15T11
MOSFET的特性能夠用搬運(yùn)特性曲線和漏極輸出特性曲線來表征。 。圖3是某種場(chǎng)效應(yīng)管的搬運(yùn)特性。搬運(yùn)特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時(shí)，柵極電壓UGS與相對(duì)應(yīng)的漏極電流ID之間的關(guān)系曲線。
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增強(qiáng)型的P溝道MOS管型號(hào)，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
當(dāng)外加正向電壓增大時(shí)，非平衡少子的濃度增大且濃度梯度也增大，外加電壓減小時(shí)，變化相反。擴(kuò)散電容：當(dāng)外加正向電壓時(shí)，靠近耗盡層交界面的非平衡少子濃度高，遠(yuǎn)離非平衡少子濃度低，且濃度自高到底逐漸衰減直到0。該現(xiàn)象中電荷積累和釋放的過程與電容器充放電過程相同，稱為擴(kuò)散電容。
。MOS管寄生電容結(jié)構(gòu)如下，其中，多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結(jié)摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。
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MOS管在保護(hù)板中的作用是：1、檢測(cè)過充電，2、檢測(cè)過放電，3、檢測(cè)充電時(shí)過電電流，4、檢測(cè)放電時(shí)過電電流，5、檢測(cè)短路時(shí)過電電流。
電芯相當(dāng)于鋰電池的心臟，而鋰電池保護(hù)板主要由保護(hù)芯片（或管理芯片）、MOS管、電阻、電容和PCB板等構(gòu)成。
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