深愛SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A

SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內(nèi)置了高精度的采樣、補(bǔ)償電路， 使得電路能夠達(dá)到±3% 以內(nèi)的恒流精度，
并且能夠?qū)崿F(xiàn)輸出電流對電感與輸出電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù) 載調(diào)整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內(nèi)部集成了500V功率MOSFET，無需次級反饋電路，也無需補(bǔ) 償電路，加之精準(zhǔn)穩(wěn)定的自適應(yīng)技術(shù)，使得系統(tǒng)外圍結(jié)構(gòu)十分簡單，可在外圍器件數(shù)量少，參數(shù)范圍寬 松的條件下實(shí)現(xiàn)高精度恒流控制，極大地節(jié)約了系統(tǒng)成本和體積，并且能夠確保在批量生產(chǎn)時LED燈具參 數(shù)的一致性。
SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A具有豐富的保護(hù)功能：輸出開短路保護(hù)、采樣電阻開短路保 護(hù)、欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、過溫自適應(yīng)調(diào)節(jié)等。

PCB設(shè)計注意事項(xiàng): V 的旁路電容十分關(guān)鍵，PCB板layout時需要盡量靠近V 及GND引腳。 DD DD 電感的充放電回路要盡量短，母線電容、續(xù)流二極管、輸出電容等功率環(huán)路面積要盡量小，芯片距離功 率器件也盡量遠(yuǎn)，從而減小EMI以及保證電路安全穩(wěn)定工作。 電路地線及其他小信號的地線須與采樣電阻地線分開布線，盡量縮短與電容的距離。 RADJ外接電阻需要盡量靠近RADJ引腳，并且就近接地。 NC引腳（PIN3）建議連接到芯片地（PIN1），有條件時可用地線將RADJ電阻環(huán)繞。 DRN引腳（PIN5、PIN6）的敷銅面積盡量大，以提高芯片散熱