分類 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V
狀態(tài) Not Recommended for New Designs
頻率(最小) (MHz) 10
頻率(最大) (MHz) 450
電源電壓(典型值)(V) 50
1dB壓縮點(diǎn)(典型值)(dBm) 40
1dB壓縮點(diǎn)(典型值) (W) 10
測(cè)試信號(hào)互調(diào)電平時(shí)的輸出功率(典型值) 10.0 @ CW
測(cè)試信號(hào) 1-TONE
功率增益(類型)(db)@ f(MHz) 23.9 @ 220
效率(典型值)(%) 62
熱阻(規(guī)格)(℃/W) 3
匹配 unmatched
種類 AB
模具技術(shù) LDMOS
應(yīng)用 射頻廣播和ISM
