產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 260 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.95 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V
Qg-柵極電荷: 86 nC
小工作溫度: - 55 C
大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 230 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: HEXFET
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 60 ns
正向跨導(dǎo) - 小值: 140 S
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 170 ns
系列: N-Channel
工廠包裝數(shù)量: 50
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 33 ns
典型接通延遲時(shí)間: 36 ns
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: IRLB3813PBF SP001558110
單位重量: 2 g
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IRFU7N60C3 INFINEON/英飛凌
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IRFS3306TRLPBF INFINEON/英飛凌
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SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY/威世
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SQ2309ES-T1_GE3 VISHAY/威世
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IRFP4110PBF INFINEON/英飛凌
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SI3456DDV-T1-E3 MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)IC VISHAY/威世
SI3456DDV-T1-GE3 VISHAY/威世
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IRFS22N60C3 INFINEON/英飛凌
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BTS723GW INFINEON/英飛凌
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