在門極 G 上加入正向電壓時 STM32F413VHT3 (如圖 5 所示),因 J3 正偏,P2 區(qū)的空穴進入 N2 區(qū),N2 區(qū)的電子進入 P2 區(qū),形成觸發(fā)電流 IGT。在晶閘管的內(nèi)部正反饋作用(如圖 2)的基礎上,加上 IGT 的作用,使晶閘管提前導通,導致圖 2 中的伏安特性 OA 段左移,IGT 越大,特性左移越快。
3.2 晶閘管的主要參數(shù) STM32F413VHT3
(1)斷態(tài)重復峰值電壓 UDRM
門極開路,重復率為每秒 50 次,每次持續(xù)時間不大于 10ms 的斷態(tài)最大脈沖電壓,UDRM=90%UDSM,UDSM 為斷態(tài)不重復峰值電壓。UDSM 應比 UBO 小,所留的裕量由生產(chǎn)廠家決定。
STM32F413VH基于ARM® Cortex®-M4內(nèi)核,采用了意法半導體的NVM工藝和ART Accelerator™,在高達84 MHz的工作頻率下通過閃存執(zhí)行時其處理性能達到225 DMIPS/608 CoreMark,這是迄今所有基于Cortex-M內(nèi)核的微控制器產(chǎn)品所達到的zui高基準測試分數(shù)。
它由于采用了動態(tài)功耗調(diào)整功能,通過閃存執(zhí)行指令時的電流消耗大大降低。
STM32F413VHT3屬于STM32F4系列的入門級微控制器,是尺寸zui小、成本zui低的解決方案,具有卓越的動態(tài)功耗效率。
它帶DSP和FPU,具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
STM32F413VH具有高集成度,適合用于消費、工業(yè)和家電領域等各種應用,并可用于物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 解決方案。
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STM32F413VHT3參數(shù)
料號 STM32F413VHT3
特性 帶DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU,具有1,5 MB Flash、100 MHz CPU、ART加速器和DFSDM
狀態(tài) Active
封裝 LQFP 100 14x14x1.4 mm
內(nèi)核 Arm Cortex-M4
操作頻率(MHz) 100
程序存儲器大小 (kB) 1536
雙組閃存 false
數(shù)據(jù)RAM大小(kB) 320
計時器(16-bit) 12
計時器 (32-bit) 2
其他計時器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC轉(zhuǎn)換器數(shù)量 1
通道數(shù)量 16
D/A轉(zhuǎn)換器 2
輸入/輸出端數(shù)量 81
顯示控制器 -
CAN接口數(shù)量 3
I2C接口數(shù)量 3
SPI接口數(shù)量 5
I2S接口數(shù)量 5
USART接口數(shù)量 4
UART接口數(shù)量 6
存儲器擴展接口 FSMC,Quad SPI
USB類型 USB OTG FS
加密技術 -
TRNG true
電源電壓 (V) min 1.7
電源電壓(V) max 3.6
靜態(tài)電流 (μA) (@ Lowest Power) 1.1
工作電流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 112
工作溫度(°C) min -40
工作溫度 (°C) max 125
STM32F413VHT3電路原理圖" alt="STM32F413VHT3電路原理圖" />
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GD32H742XGH6
GD32H742XIH6
GD32H742ZGT6
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GD32H743AGI6
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GD32H743IIT6
GD32H743VGH6
GD32H743VGT6
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GD32H745XGH6
GD32H745XIH3
STM32F413VHT3
STM32F413VHT3
發(fā)布時間:2021/9/13 10:44:00 訪問次數(shù):248 發(fā)布企業(yè):深圳市西昂特科技有限公司
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