RS1E260ATTB1
制造商:
ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
HSOP-8
晶體管極性:
P-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續(xù)漏極電流:
80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
3.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
175 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
40 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
商標(biāo):
ROHM Semiconductor
配置:
Single
下降時間:
320 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
78 ns
工廠包裝數(shù)量:
2500
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:
350 ns
典型接通延遲時間:
26 ns
單位重量:
771.020 mg
RS1E260ATTB1
發(fā)布時間:2021/9/15 9:24:00 訪問次數(shù):129 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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