AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF導(dǎo)讀
今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護(hù)板可替代AO3401等MOS管的國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管：NCE3401。
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出溫度系數(shù)（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車級(jí)高精度薄膜扁平片式電阻。
AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
APM7313KC-TRL
NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。
MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
勢(shì)壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會(huì)有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會(huì)形成空間電荷區(qū)（該空間電荷區(qū)形成的電場(chǎng)會(huì)阻值擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)行，較終使擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡）；。
AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
RK4936
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增強(qiáng)型的P溝道MOS管型號(hào)，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
飽滿區(qū)（UDS>UGS-UT）在上述三個(gè)區(qū)域保衛(wèi)的區(qū)域即為飽滿區(qū)，也稱為恒流區(qū)或放大區(qū)。功率MOSFET應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源和逆變器等功率變換中，就是工作在截止區(qū)和擊穿區(qū)兩個(gè)區(qū)。 。擊穿區(qū)在相當(dāng)大的漏——源電壓UDS區(qū)域內(nèi)，漏極電流近似為一個(gè)常數(shù)。當(dāng)UDS加大道必定數(shù)值今后，漏極PN結(jié)發(fā)生擊穿，漏電流疾速增大，曲線上翹，進(jìn)入擊穿區(qū)。
搬運(yùn)特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時(shí)，柵極電壓UGS與相對(duì)應(yīng)的漏極電流ID之間的關(guān)系曲線。圖3是某種場(chǎng)效應(yīng)管的搬運(yùn)特性。 。MOSFET的特性能夠用搬運(yùn)特性曲線和漏極輸出特性曲線來(lái)表征。
AM5922N-T1-PF_AM4910N-T1-PF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
電芯相當(dāng)于鋰電池的心臟，而鋰電池保護(hù)板主要由保護(hù)芯片（或管理芯片）、MOS管、電阻、電容和PCB板等構(gòu)成。
NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
相關(guān)資訊
