規(guī)格
產(chǎn)品屬性
屬性值
搜索類似
制造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
360 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
27 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
90 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
MDmesh
封裝:
Tube
商標:
STMicroelectronics
配置:
Single
下降時間:
10 ns
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
8 ns
系列:
STP13NM60N
工廠包裝數(shù)量:
1000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:
30 ns
典型接通延遲時間:
3 ns
單位重量:
2 g
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