SI2304DDS-T1-GE3描述
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制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:詳細(xì)信息
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30V
Id-連續(xù)漏極電流:3.6A
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:60mOhms
Vgs-柵極-源極電壓:-20V,+20V
Vgsth-柵源極閾值電壓:1.2V
Qg-柵極電荷:6.7nC
最小工作溫度:-55C
最大工作溫度:+150C
Pd-功率耗散:1.7W
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:TrenchFET
封裝:Reel
封裝:CutTape
封裝:MouseReel
商標(biāo):VishaySemiconductors
配置:Single
下降時(shí)間:5ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:12ns
系列:SI2
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
晶體管類型:1N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:10ns
典型接通延遲時(shí)間:5ns
零件號(hào)別名:SI2304DDS-T1-BE3SI2304DDS-GE3
單位重量:8mg
