APM9986COC-TRL導(dǎo)讀
今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護(hù)板可替代AO3401等MOS管的國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管：NCE3401。
上面就是功率mos管NCE80H12的規(guī)格書，我們電動(dòng)車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實(shí)和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。
APM9986COC-TRL
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。
勢(shì)壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會(huì)有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會(huì)形成空間電荷區(qū)（該空間電荷區(qū)形成的電場(chǎng)會(huì)阻值擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)行，較終使擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡）；。
MOS管規(guī)格書中有三個(gè)寄生電容參數(shù)，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個(gè)電容參數(shù)具體到管子的本體中，分別代表什么？是如何形成的？。
APM9986COC-TRL
別的一種技能就是對(duì)MOSFET的結(jié)構(gòu)間斷改進(jìn)，選用一種筆直V型槽結(jié)構(gòu)。為了抑止MOSFET的載流才華太小和導(dǎo)通電阻大的難題，在大功率MOSFET中一般選用兩種技能，一種是將數(shù)百萬(wàn)個(gè)小功率MOSFET單胞并聯(lián)起來(lái)，前進(jìn)MOSFET的載流才華。圖3是V型槽MOSFET結(jié)構(gòu)剖面圖。
例如電子燃油噴射系統(tǒng)、制動(dòng)防抱死控制、防滑控制、牽引力控制、電子控制懸架、電子控制自動(dòng)變速器、電子動(dòng)力轉(zhuǎn)向等，另一類是車載汽車電子裝置，車載汽車電子裝置是在汽車環(huán)境下能夠獨(dú)立使用的電子裝置，它和汽車本身的性能并無(wú)直接關(guān)系。。
。MOS管寄生電容結(jié)構(gòu)如下，其中，多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結(jié)摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
而在鋰電池保護(hù)板中重要的就是保護(hù)芯片和MOS管。
NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
相關(guān)資訊
