制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 130 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 43 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 9 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
系列: STP33N60DM2
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 62 ns
典型接通延遲時(shí)間: 17 ns
單位重量: 2 g
STP33N60DM2
發(fā)布時(shí)間:2021/9/29 15:47:00 訪問次數(shù):184 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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