BYP32058_FDS6990AS-NL導讀
假定導電溝道的載流子是電子，則稱為N溝道；假定載流子是空穴，則稱為P溝道。根據(jù)導電溝道的載流子能夠劃分為N溝道和P溝道。MOS管是一種單極性載流子參與導電的半導體器件。
功率半導體的核心是PN結，從二極管、三極管到場效應管，都是根據(jù)PN結特性所做的各種應用。場效應管分為結型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。根據(jù)不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為增強型、耗盡型——。
BYP32058_FDS6990AS-NL" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
BYN4286
功率MOSFET普通很少選用P溝道，由于空穴的遷移率比電子的遷移率低，相同的溝道尺寸，P溝道的晶體管比N溝道的導通電阻大。 。依照導電溝道和溝道構成的過程兩點來分類，MOS管能夠分為：P溝增強型MOS管、P溝耗盡型MOS管、N溝增強型MOS管和N溝耗盡型MOS管。圖四類MOSFET和它們的圖形符號。
BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A BYF32018A BYD32011Z BYF32090 BYJ32056 BYP32011A 。
BYP32058_FDS6990AS-NL" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
DMN4031SSD-13
NCE3008M NCE3010S NCE3011E NCE30D0808J NCE3018AS 。
圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所，緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上，溝道不能做得很短，溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的，溝道電流是外表電流，要加大電流容量，就要加大芯片面積，這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。
BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。
NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。
BYP32058_FDS6990AS-NL" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
相關資訊
