製造商:
STMicroelectronics
產(chǎn)品類型:
IGBT 電晶體
RoHS:
詳細資料
技術:
Si
封裝/外殼:
TO-247-3
安裝風格:
Through Hole
配置:
Single
集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO:
1200 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓:
1.85 V
柵極發(fā)射機最大電壓:
20 V
連續(xù)集電極電流在25 C:
16 A
Pd - 功率消耗 :
167 W
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 175 C
系列:
STGW8M120DF3
封裝:
Tube
品牌:
STMicroelectronics
柵射極漏電電流:
250 uA
產(chǎn)品類型:
IGBT Transistors
原廠包裝數(shù)量:
600
子類別:
IGBTs
每件重量:
6 g
STGW8M120DF3
發(fā)布時間:2021/10/8 16:11:00 訪問次數(shù):167 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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