IPA80R1K0CE
製造商:
Infineon
產(chǎn)品類型:
MOSFET
RoHS:
詳細資料
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝/外殼:
TO-220-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù):
1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
800 V
Id - C連續(xù)漏極電流:
5.7 A
Rds On - 漏-源電阻:
2.19 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
3 V
Qg - 閘極充電:
31 nC
最低工作溫度:
- 40 C
最高工作溫度:
+ 150 C
Pd - 功率消耗 :
32 W
通道模式:
Enhancement
公司名稱:
CoolMOS
封裝:
Tube
品牌:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降時間:
8 ns
高度:
16.15 mm
長度:
10.65 mm
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時間:
15 ns
系列:
CoolMOS CE
原廠包裝數(shù)量:
50
子類別:
MOSFETs
標準斷開延遲時間:
72 ns
標準開啟延遲時間:
25 ns
寬度:
4.85 mm
零件號別名:
IPA80R1K0CE SP001313392
每件重量:
2 g
IPA80R1K0CE
發(fā)布時間:2021/10/13 16:40:00 訪問次數(shù):209 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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