產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 39.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 13.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.1 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 3 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
高度: 1.1 mm
長度: 3.3 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
系列: OptiMOS P3
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
寬度: 3.3 mm
零件號別名: BSZ18P3NS3GXT SP000709744 BSZ180P03NS3GATMA1
單位重量: 38.760 mg
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