產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 15.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
下降時間: 13.6 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
濕度敏感性: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 5.2 ns
系列: CoolMOS CE
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 41 ns
典型接通延遲時間: 6.6 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: IPD65R1K0CE SP001421368
單位重量: 330 mg
我司擁有多年的廠家配套經驗,承接各類客戶生產需求的采購貨單配套,誠實守信,歡迎來電咨詢!我們都以100%的熱情為您真誠服務。
BQ29411PWR TI
BQ29411PWRG4 TI
BQ29412DCT3R TI
BQ29412DCT3RE6 TI
BQ29412DCTR TI
BQ29412DCTRG4 TI
BQ29412DCTT TI
BQ29412PW TI
BQ29412PWG4 TI
BQ29412PWR TI
BQ29412PWRG4 TI
BQ29413DCTR TI
BQ29414DCTR TI
BQ29414PWR TI
BQ29415PWRR TI
BQ29419PW TI
BTS555 TI
BB65514 TI
BQ20Z451DBTR TI
BQ20Z451DBTR-R2 TI
BQ20Z451DBTR-R3 TI
BQ20Z451DBTR-R7 TI
BQ20Z453DBTR TI
BQ20Z459DBTR TI
BQ20Z45DBT TI
BQ20Z45DBTR TI
BQ20Z45DBT-R1 TI
BQ20Z45DBTRG4 TI
BQ20Z45DBTR-R1 TI
BQ20Z655DBTR TI
BQ20Z655DBTR-R1 TI
BQ20Z65DBTR TI
BQ20Z65DBT-R1 TI
BQ20Z70PW TI
BQ20Z70PWR TI
BQ20Z70PWR-V110 TI
BQ20Z70PWR-V150 TI
BQ20Z70PWR-V160 TI
BQ20Z70PWR-V160G4 TI
BQ20Z70PW-V150 TI
BQ20Z75BTR TI
BQ20Z75DBTR TI
BQ20Z75DBTRG4 TI
BQ20Z75DBTR-V160 TI
BQ20Z75DBTR-V160G4 TI
BQ20Z75DBTR-V180 TI
BQ20Z80ADBTR TI
BQ20Z80ADBTR-V110 TI
BQ20Z80ADBTR-V110G4 TI
BQ20Z80ADBT-V110 TI