制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 1.45 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 60 A
Pd-功率耗散: 208 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: HGTG30N60B3D
封裝: Tube
商標(biāo): onsemi / Fairchild
集電極連續(xù)電流: 60 A
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 60 A
柵極—射極漏泄電流: +/- 250 nA
高度: 20.82 mm
長(zhǎng)度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量: 450
子類別: IGBTs
寬度: 4.82 mm
零件號(hào)別名: HGTG30N60B3D_NL
單位重量: 6.390 g
