制造商： Diodes Incorporated
說明：
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-26-6
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 250 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 7.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Diodes Incorporated
配置: Single
下降時間: 2.2 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5 S
高度: 1.3 mm
長度: 3.1 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.2 ns
系列: ZXMN10A
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 8 ns
典型接通延遲時間: 3.4 ns
寬度: 1.8 mm
單位重量: 15 mg
