GD32F105VGT6_SP8K1TB導(dǎo)讀
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出溫度系數(shù)（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，擴(kuò)充其TNPU e3系列汽車(chē)級(jí)高精度薄膜扁平片式電阻。
NCE80H12此類(lèi)MOS管在電動(dòng)車(chē)正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)把電池里的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，從而帶動(dòng)電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)。
GD32F105VGT6_SP8K1TB" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
BYM6313
MOS管3306產(chǎn)品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無(wú)鉛綠色設(shè)備 3、低電阻開(kāi)關(guān)，減少導(dǎo)電損耗 4、高雪崩電流。
圖四類(lèi)MOSFET和它們的圖形符號(hào)。功率MOSFET普通很少選用P溝道，由于空穴的遷移率比電子的遷移率低，相同的溝道尺寸，P溝道的晶體管比N溝道的導(dǎo)通電阻大。 。依照導(dǎo)電溝道和溝道構(gòu)成的過(guò)程兩點(diǎn)來(lái)分類(lèi)，MOS管能夠分為：P溝增強(qiáng)型MOS管、P溝耗盡型MOS管、N溝增強(qiáng)型MOS管和N溝耗盡型MOS管。
MOS管的導(dǎo)電溝道，能夠在制作過(guò)程中構(gòu)成，也能夠通過(guò)接通外部電源構(gòu)成，當(dāng)柵壓等于零時(shí)就存在溝道（即在制作時(shí)構(gòu)成的）稱為耗盡型，在施加外部電壓后才構(gòu)成溝道的稱為增強(qiáng)型。。
BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。
GD32F105VGT6_SP8K1TB" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
SUF1002
GD32F205ZET6 GD32F205VKT6 GD32F205VCT6 GD32F207VET6 GD32F207VGT6 。
GD32F105RGT6 GD32F105R8T6 GD32F105VET6 GD32F107VGT6 GD32F107ZGT6 。
BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 BYM31020 BYS31010 BYJ3104 BYH3105 BYP3109 。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
GD32F105VGT6_SP8K1TB" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
而在鋰電池保護(hù)板中重要的就是保護(hù)芯片和MOS管。
而鋰電池保護(hù)板的主要作用：1過(guò)充電保護(hù)， 2短路保護(hù)， 3過(guò)電流保護(hù)，4過(guò)放電保護(hù)， 5正常狀態(tài)。
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