產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9.9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 540 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 20.5 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 82 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 11 ns
高度: 2.3 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
系列: CoolMOS CE
2500
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 58 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10 ns
寬度: 6.22 mm
零件號(hào)別名: IPD60R650CE SP001396884
單位重量: 330 mg
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