產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70-6
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 12 V
Id-連續(xù)漏極電流: 4.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 33 mOhms, 33 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 26 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 7.8 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 15 ns, 15 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 12 S, 12 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 22 ns, 22 ns
系列: SIA
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 32 ns, 32 ns
典型接通延遲時間: 22 ns, 22 ns
零件號別名: SIA975DJ-GE3
單位重量: 28 mg
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