產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 7.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 76 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 10 ns
正向跨導 - 最小值: 116 S, 58 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
系列: OptiMOS 3
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型關閉延遲時間: 39 ns
典型接通延遲時間: 24 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP76N12N3GXK SP000652736 IPP076N12N3GXKSA1
單位重量: 2 g
我司擁有多年的廠家配套經(jīng)驗，承接各類客戶生產(chǎn)需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。
INA199A2DCKR TI
INA199A2RSWR TI
INA199A2RSWT TI
INA199A3DCKR TI
INA199A3RSWR TI
INA199A3RSWT TI
INA199AIDCKR TI
INA199B1DCKR TI
INA199B1DCKT (SEB) TI
INA199B1RSWR TI
INA199B2DCKR TI
INA199B2QDCKRQ1 TI
INA199B3DCK TI
INA199B3DCKR TI
INA199B3RSWR TI
INA200A TI
INA200AID TI
INA200AIDGK TI
INA200AIDGKR TI
INA200AIDGKT TI
INA200AIDR TI
INA200AQDGKRQ1 TI
INA201AID TI
INA201AIDGKR TI
INA201AIDR TI
INA201AQDGKRQ1 TI
INA202AID TI
INA202AIDGKR TI
INA202AIDGKT TI
INA202AIDR TI
INA203AIDGSR TI
INA203AIDR TI
ISO7220ADR TI
ISO7220ADRG4 TI
ISO7220BD TI
ISO7220BDR TI
ISO7220BDRG4 TI
ISO7220C TI
ISO7220CD TI
ISO7220CDR TI
ISO7220CDRG4 TI
ISO7220CP TI
ISO7220MD TI
ISO7220MDR TI
ISO7221A TI
ISO7221AD TI
ISO7221ADR TI
ISO7221ADRG4 TI
ISO7221AQDRQ1 TI
ISO7221BDR TI
