TCR3RM29A,LF,TCR3RM29A,LF,TCR2EF11,LM(CT,TCR2EF33,LM(CT,TCR2EF18,LM(CT, TCKE805NA,射頻。
東芝的MOSFET、LDO 穩(wěn)壓器、電機控制驅(qū)動器、光電耦合器和其他組件系列使用尖端技術(shù)來幫助設(shè)計人員克服空間受限設(shè)計中的功耗挑戰(zhàn)。這有助于設(shè)計功能強大的監(jiān)控攝像機,這尤其具有挑戰(zhàn)性,因為它們需要高效的電源管理和高信號質(zhì)量。
特征: 低導(dǎo)通電阻 MOSFET 可實現(xiàn)高效運行 廣泛的電源管理 IC 陣容,用于改進對各種電源管理子系統(tǒng)的控制 低工作電阻和低電容確保高信號保護性能和信號質(zhì)量 符合安全標準 (IEC-62368-1) (eFuse IC) 相機電源高耐壓、低導(dǎo)通電阻的MOSFET適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的PWM開關(guān)電路。通過保持低導(dǎo)通電阻,可以最大限度地減少發(fā)熱和電流消耗,并降低輸出損耗。東芝的功率 MOSFET 產(chǎn)品采用高散熱封裝,進一步減少熱量的產(chǎn)生。
此外,電壓轉(zhuǎn)換對于用于通信的 MCU 和 SoC 很重要。它們對電源電壓非常敏感,在某些情況下,瞬態(tài)電壓響應(yīng)所需的性能也很高。東芝的 LDO 穩(wěn)壓器提供高性能、改進的 PSRR 和負載瞬態(tài)響應(yīng)以及最小的電流消耗,進一步優(yōu)化了電源電路。
相機存儲接口隨著存儲容量和速度的增加,在使用 SD 卡時功耗也會增加,這意味著瞬態(tài)電壓成為一個問題。此外,控制 SD 卡的 SoC 正在通過更精細的間距工藝降低電壓。由于SD卡槽暴露在外,環(huán)境因素的風(fēng)險在所難免。因此,靜電放電 (ESD) 造成的損壞具有很高的風(fēng)險。
東芝的 LDO 穩(wěn)壓器可提供高性能、改進的負載瞬態(tài)響應(yīng)以及最小的電流消耗,從而實現(xiàn) SD 卡功率優(yōu)化。東芝還提供 TVS 二極管(ESD 保護二極管)以保護內(nèi)部電路免受可能損壞它們的意外 ESD 的影響。此類 TVS 二極管旨在最大限度地減少電信號的插入損耗和衰減,并可用于速度高達 10 Gbps 的信號線。
記錄單元存儲粉末監(jiān)控攝像機必須一年 365 天、一天 24 小時運行。因此,電源永遠不會關(guān)閉,但記錄單元中使用的 HDD 和 SSD 的存儲容量是有限的。當需要更換完整的存儲設(shè)備時,它不會先斷電。相反,它是熱插拔的。這需要東芝電子保險絲 IC 中的功能,該功能有助于保護電源線免受熱插拔副作用的影響,例如常規(guī)電源浪涌、短路、過流、過壓和浪涌電流抑制。此 eFuse IC 已通過 IEC62368-1 認證。