IMZ120R220M1HXKSA1

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續(xù)漏極電流: 13 A
Rds On - 漏-源電阻: 220 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 7 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.7 V
Qg - 閘極充電: 8.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 75 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolSiC
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 12.7 ns
互導(dǎo) - 最小值: 2 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 1 ns
系列: IMZ120RXM1H
原廠包裝數(shù)量: 30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 9.8 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 4.8 ns
零件號別名: IMZ120R220M1H SP001946190
每件重量: 6 g