24AA128T-I/SN 全新原裝 進(jìn)口現(xiàn)貨 需要請聯(lián)系：
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 100
類別 集成電路 (IC)
家庭 存儲器
系列 -
格式 - 存儲器 EEPROMs - 串行
存儲器類型 EEPROM
存儲容量 128K (16K x 8)
速度 100kHz，400kHz
接口 I²C，2 線串口
電壓 - 電源 1.7 V ~ 5.5 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC N
包裝 管件
移動芯片大廠高通（Qualcomm）最新發(fā)布CMOS PA（Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Power Amplifer互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體功率放大器），挾CMOS材料低成本優(yōu)勢侵蝕PA市場，使得砷化鎵族群昨股價盤中大跌逾3%；不過，砷化鎵業(yè)者認(rèn)為，高通新產(chǎn)品的功率及效能還不清楚，未來對砷化鎵在PA領(lǐng)域的優(yōu)勢是否會造成影響還有待觀察。
高通指出，將在今年下半年推出以CMOS制程生產(chǎn)的PA，支持LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE等7種模式，頻譜將涵蓋全球使用中的逾40個頻段，以多頻、多模優(yōu)勢宣布進(jìn)軍行動PA產(chǎn)業(yè)。
穩(wěn)懋：今年是關(guān)鍵年
穩(wěn)懋總經(jīng)理王郁琦日前針對產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)變化強(qiáng)調(diào)，今年是砷化鎵產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵的1年，主要是通訊市場由3G升至4G，需要更高頻寬及速度，砷化鎵芯片在傳輸速度上高于矽芯片5倍以上，最適合發(fā)展。
業(yè)者認(rèn)為，單就砷化鎵的物理性質(zhì)來說，砷化鎵的高飽和電子速率及高電子移動率，在高頻PA領(lǐng)域的需求是CMOS等矽材料無法跟上的，加上若以電子移動速率分析，砷化鎵材料的物理表現(xiàn)是矽材料的5倍，而這項物理性質(zhì)對于需高頻、高功率運(yùn)作的智能手機(jī)而言，是相當(dāng)關(guān)鍵的特質(zhì)
