SIHD3N50D-BE3

製造商: Vishay
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 550 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 3 A
Rds On - 漏-源電阻: 3.2 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5 V
Qg - 閘極充電: 12 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 69 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時(shí)間: 13 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9 ns
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 11 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 12 ns
零件號(hào)別名: SIHD3N50D-E3
每件重量: 330 mg