AD1139JD_AD1938YSTZ導(dǎo)讀
。據(jù)IC Insights統(tǒng)計，在過去的10年中(2009-2018年)，全11球半導(dǎo)體制造商總共關(guān)閉或重建了97座晶圓廠。具體如下圖所示。其中，關(guān)閉了42座150mm晶圓廠和24座200mm晶圓廠，而關(guān)閉的300mm晶圓廠數(shù)量僅占關(guān)閉總數(shù)的10%。
隨著制程工藝的成熟與進步，以及市場需求的增加，越來越多的公司采用20nm以下的先進工藝設(shè)計、生產(chǎn)IC和器件，這使得越來越多的IDM和代工廠淘汰生產(chǎn)效率低下的晶圓廠。。
AD1139JD_AD1938YSTZ
AD1804JRU-0.6
相比4G，5G在初始階段就明確規(guī)劃了三大應(yīng)用場景：增強移動廣帶，其峰值速率將是4G網(wǎng)絡(luò)的10倍以上；海量機器通信，將實現(xiàn)從消費到生產(chǎn)的全環(huán)節(jié)、從人到物的全場景覆蓋；超高可靠低時延通信，通信響應(yīng)速度將降至毫秒級。。但5G不止于手機，在萬物互聯(lián)時代，必須提前搭建好一條條高速路，5G因此無可爭議地成為新基建之首。
AD1583ARTZ-REEL7 AD1583ARTZ-REEL7 AD1583ARTZ-RL7 AD1583BRT-REEL7 AD1583BRT-REEL7 。
AD1580ARTZ-REEL AD1580ARTZ-REEL7 AD1580ARTZ-REEL7 AD1580ARTZ-RL7 AD1580-B 。
AD1583BRTZ AD1583BRTZ AD1583BRTZ-REEL7 AD1583BRTZ-REEL7 AD1583BRTZ-REEL7 。
AD1139JD_AD1938YSTZ
AD1988BJCPZ-03
AD1584ARTZ-REEL7 AD1584BRT-R2 AD1584BRTZ AD1584BRTZ AD1584BRTZ-R7 。
AD1584BRTZ-REEL7 AD1584BRTZ-REEL7 AD1584CRTZ-REEL7 AD1584CRTZ-REEL7 AD1585ART 。
AD1028ARQ AD1028ARQ AD1030ARQ AD1030ARQ AD1031A-RQ 。
AD1585BRTZ AD1585BRTZ-R2 AD1585BRTZ-REEL7 AD1585CRTZ AD1589336(AD3703) 。
AD1139JD_AD1938YSTZ
不過薄膜結(jié)構(gòu)需要足夠堅固以至于在后續(xù)工藝中不受影響。相比BAW-SMR，membrane type 較少一部分跟底下substrate接觸，不好散熱。
??因為只是邊緣部分跟底下substrate接觸，這種結(jié)構(gòu)在受到壓力時相對脆弱，而且跟membrane type類似，散熱問題同樣需要關(guān)注。Airgap type在制作壓電層之前沉積一個輔助層(sacrificial support layer)，最后再把輔助層去掉，在震蕩結(jié)構(gòu)下方形成air gap。
相關(guān)資訊
