SI7149DP-T1-GE3

製造商: Vishay
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On - 漏-源電阻: 5.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 1.2 V
Qg - 閘極充電: 98 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 69 W
通道模式: Enhancement
公司名稱(chēng): TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 16 ns
互導(dǎo) - 最小值: 47 S
高度: 1.04 mm
長(zhǎng)度: 6.15 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
系列: SI7
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 58 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 15 ns
寬度: 5.15 mm
零件號(hào)別名: SI7149DP-GE3
每件重量: 506.600 mg