DXTN10060DFJBWQ-7

製造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品類型: 雙極結晶體管 - BJT
RoHS: 詳細資料
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: W-DFN2020-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極-發(fā)射極最大電壓VCEO: 60 V
集電極-基極電壓VCBO: 100 V
發(fā)射機-基極電壓VEBO: 8 V
集電極-發(fā)射極飽和電壓: 240 mV
集電極最大直流電流: 4 A
Pd - 功率消耗 : 1.8 W
增益帶寬積 fT: 125 MHz
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: Diodes Incorporated
連續(xù)集電極電流: 4 A
直流集電極/增益 hfe 最小值: 250 at 10 mA, 2 V
直流電最大增益hFE: 550 at 10 mA, 2 V
產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: Transistors
技術: Si
每件重量: 30 g