IXFK32N100X

製造商: IXYS
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1 kV
Id - C連續(xù)漏極電流: 32 A
Rds On - 漏-源電阻: 220 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 130 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 890 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: HiPerFET
封裝: Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時間: 12 ns
互導(dǎo) - 最小值: 14 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
原廠包裝數(shù)量: 25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 80 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 29 ns
每件重量: 10 g