製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-3PN-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 150 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 90 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 105 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 294 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: QFET
封裝: Tube
品牌: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 150 ns
互導(dǎo) - 最小值: 19.5 S
高度: 20.1 mm
長度: 16.2 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 350 ns
系列: FQA36P15
原廠包裝數(shù)量: 450
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 155 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 50 ns
寬度: 5 mm
零件號別名: FQA36P15_NL
每件重量: 4.600 g
