IR1010EPBF品牌IR
IR1010EPBF封裝TO-220
IR1010EPBFMOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
IR1010EPBF參數(shù)：
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
84A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
12 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3210 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
隨著物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，越來越多的白色家電中配備了Wi-Fi通信功能。為了保證通信功能的正常運(yùn)行，這些家電必須始終處于通電狀態(tài)，此舉無IR1010EPBF疑增加了產(chǎn)品的待機(jī)功耗。此外，由于家電產(chǎn)品的顯示器越來越大、功能越來越豐富，因此顯示部分還需要再搭配高性能IR1010EPBF的微控制器，進(jìn)一步增加了產(chǎn)品的工作功耗。早在2013年歐盟就制定了0.5W MEPS（最低能效）標(biāo)準(zhǔn)，家電制造商要想IR1010EPBF達(dá)到這個要求，在技術(shù)上必將面對巨大的挑戰(zhàn)。有效地對電機(jī)和微控制器進(jìn)行控制，進(jìn)一步降低待機(jī)功耗，家電行IR1010EPBF業(yè)傳統(tǒng)的主要做法是：從AC/DC、DC/DC這些電源部分和電機(jī)部分入手，配置用來檢測交流（AC）波形的過零檢測電路IR1010EPBF。在以往的過零檢測電路中，通常會使用光耦，雖然能將能耗從3.6W降到1.7W，降低了約50%，但依然無法達(dá)到0.5W的IR1010EPBF目標(biāo)。此外，光耦的延遲比較大，發(fā)光管老化也會引起轉(zhuǎn)換效率的降低。當(dāng)然，光耦方案在市場上之所以保持10年未變IR1010EPBF，與過零檢測電路沒有得到足夠的重視有一定關(guān)系。在節(jié)能呼聲日漸高漲的今天，市場亟需一項(xiàng)新技術(shù)和新產(chǎn)品來解IR1010EPBF決待機(jī)功耗居高不下的問題。
