產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 79 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Qg-柵極電荷: 39 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7.9 S
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
4000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 27 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
寬度: 3.9 mm
零件號別名: SP001572102
單位重量: 540 mg
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