在現(xiàn)有的內(nèi)部匹配IF增益模塊中，ADL5535提供的動(dòng)態(tài)范圍最高。在整個(gè)1 GHz頻率范圍內(nèi)，同時(shí)提供極低的噪聲系數(shù)和非常高的OIP3特性即可達(dá)到這一性能。ADL5535還在整個(gè)頻率范圍內(nèi)提供極其平坦的增益和P1dB，并且不隨溫度、電源及器件的不同而改變。
ADL5535在輸入和輸出內(nèi)部匹配50 Ω，能夠簡(jiǎn)單地使用于各種不同的應(yīng)用中。只需配置輸入/輸出交流耦合電容、電源去耦電容和一個(gè)外部電感便可工作。
ADL5535采用GaAs HBT工藝制造而成，ESD額定值為±2 kV（2類）。該器件采用MSL-1級(jí)SOT-89封裝，使用裸露焊盤，熱阻性能出色。
采用5 V單電源供電時(shí)，ADL5535的功耗僅為97 mA。額定溫度范圍為?40°C至+85°C。
ADL5535還與20 dB增益ADL5536引腳兼容。每個(gè)放大器均提供配置齊全的評(píng)估板。
固定增益：16 dB
工作頻率范圍：20 MHz至1.0 GHz
輸入和輸出內(nèi)部匹配50 Ω
集成偏置控制電路
OIP3：
45.5 dBm (190 MHz)
45.5 dBm (380 MHz)
P1dB：18.9 dBm (190 MHz)
噪聲系數(shù)：
190 MHz時(shí)，3.2 dB
380 MHz時(shí)，3.3 dB
5 V單電源供電
低靜態(tài)電流：97 mA
MSL-1級(jí)SOT-89封裝
ESD額定值：±2 kV（2類）
與20 dB增益ADL5536引腳兼容
