小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。我們所見的mos管，其實內(nèi)部由成千上萬個小mos管并聯(lián)而成，大家可能會想成千上萬個小mos應該很容易出現(xiàn)一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。
MOS管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。
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1.5KE100A-E3/73
036N04L 0372BDP1 0372DP1 03N60C3 03P2J-T1 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
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060315K5%
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。
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NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續(xù)流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態(tài)，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。
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