針對這種需求，新潔能生產(chǎn)出內(nèi)阻小，抗過電流能力好的N溝道溝槽工藝MOS管——NCE80H12，NCE80H12的導(dǎo)通電阻小于6mΩ，輸出電流可達(dá)120A，電機(jī)扭矩較好，。
從(1)也可以看出，MOS除了D、G、S三個極之外，還有一個Sub極，Sub和S極有連接關(guān)系，因此(2)MOS的電路符號中，會將MOS內(nèi)部指向溝道N溝道的箭頭和S極連接在一起（世界上沒有無緣無故的愛也沒有無緣無故的恨）。
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0903BD
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
04021.5K5% 04021.6K1% 04021.8K5% 040210K1% 0402200K5% 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。
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03P4J-T2-AZ
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
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開關(guān)只有兩種狀態(tài)通和斷，三極管和MOS管工作有三種狀態(tài)，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續(xù)增加而集電極電流不再增加）。
]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng)，Cgd電容大大增加,柵極電流持續(xù)流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態(tài)，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。
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