產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PQFN-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.35 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.6 W
通道模式: Enhancement
商標名: StrongIRFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 12 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 83 S
高度: 0.83 mm
長度: 6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
系列: N-Channel
4000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 21 ns
寬度: 5 mm
零件號別名: IRFH8311TRPBF SP001564136
單位重量: 122.136 mg
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