產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-251-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 31 A
Rds On-漏源導通電阻: 65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 42 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 63 ns
正向跨導 - 最小值: 8 S
高度: 6.22 mm
長度: 6.73 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 66 ns
75
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 39 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
寬度: 2.38 mm
零件號別名: IRFU5305PBF SP001550274
單位重量: 340 mg
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