產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 11 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 18 ns
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 8.4 ns
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g
我司擁有多年的廠家配套經(jīng)驗，承接各類客戶生產(chǎn)需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。
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制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 11 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 18 ns
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 19 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 8.4 ns
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g
