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CUSBICECABLE4A
HT66FM5230
HT66FM5242
HT66FM5240
SSC8631GS1 IC
PIC16F883-I/SO
MCP602-I/SN 運放IC
MCP602-I/SN
MCP1603T-180I/OS
NY7C087A
HT1623
HT1623 驅(qū)動IC
HT1623 驅(qū)動IC
3DK2B
UPD811301F5-K12-NNC-A
UPD811301F5-K12-NNC-A
CS1621GO
CS1621GO
TTP223
TTP223B
TTP223 電子管
HT69F350
HT69F30A
HT69F340
HT69F360
TEA1761T
L6561
AOT480L
ESKT16NSOP
HT7044
HT7044A-3
HT7044A-2
HT7044A-1
HT7044A-3
HT7044A-2
HT7044A-1
SC92F7003X20U
1621B
NY5P025A
HT7144
HT7144
HT7144-1
HT7144-3
HT7144-1
HT7144-2
HT7144-1
ML62352PRG
NY5A003B
NY5A008B
NY5A005B
HT1621
HT1621B 驅(qū)動IC
HT1621 驅(qū)動IC
HT1621G
HT1621B
HT1621B
HT1621B-LQFP48
HT1621B SSOP48
PT7314A
RU30L15H IC
HT1015-1
HT7L4661
HT9294 八腳管
PT2002-TX
HT6751B
HT6751A
HT6751A 其他單片機、電路板
MIC5206-3.5BM5
HT1380
HT1380
HT1380A
NY7B021A
HT82V70
RS1002FL-R1-00001
HT86A36
M24256-BRMN6TP
M24256-BRMN6TP
HT7727 貼片三極管
HT7727
HT7727A
HT7727A
HT7727S
HT7727SA
HT7727S
HT7727SA
HT7533-1
HT7325
HT7325-7
HT7325-3
HT7325-2
HT7325-1
HT7325
HT7325-2
HT7325-1
HT7325-7
HT7325-3
HT7750 貼片三極管
HT7750
HT7750A
HT7750A
HT7750S
HT7750SA
HT7750 貼片三極管
HT7750S
HT7750SA
HT9251
TK98P01
TK98P01
TK98P01A
NY7C260A
HT46C23
HT7718
HT7718
HT7718S
HT7718S
HT9231
HT48F70E
RU30P5H IC
HT48F30E 其他單片機、電路板
HT37Q70
PIC12F629-I/SN
CS32F031K8U6
CS32F031K6U6
LCMXO640C-3TN144C
LCMXO640C-3TN144C
VP201 IC
HY11P24-D000
HT1380
HT1382
RCR4803SQ IC
PTZTE2582B IC
HT82K629A 驅(qū)動IC
HT82K68A-L
BS85B12-3
AON6403
HT45B0010-1
HT46RB50
HT46RB70
NY4P105
NY4P105A
HT7612 內(nèi)存芯片
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。場效應管分為結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。
一、結(jié)型場效應管（JFET）
1.結(jié)型場效應管的分類：結(jié)型場效應管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應管和P溝道結(jié)型場效應管。
結(jié)型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?br />
2、結(jié)型場效應管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應管的結(jié)構(gòu)及符號，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導電的溝道越窄，漏極電流ID就愈��；反之，如果柵極電壓沒有那么負，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說，場效應管是電壓控制元件。
二、絕緣柵場效應管
1、絕緣柵場效應管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
3、絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗散型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。
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