技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
120A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
6 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
170 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
6860 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
基本產(chǎn)品編號
IRFB4310
