TAJB156K010RNJ_TAJB156K010RNJ導讀
IGBT非常適合應用于如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT內(nèi)部的體二極管并非寄生的，而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續(xù)流二極管）。判斷IGBT內(nèi)部是否有體二極管也并不困難，可以用萬用表測量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測得電阻值無窮大，則說明IGBT沒有體二極管。
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TLJR226M010R3800
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。 2）、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。關于寄生二極管的作用，有兩種解釋： 1）、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
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TAJE336M035RNJ
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049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
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總的來說，MOSFET優(yōu)點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越，其導通電阻小，耐壓高。
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