NVGS5120PT1G

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 72 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 18.1 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.1 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
配置: Single
下降時間: 12.8 ns
正向跨導 - 最小值: 10.1 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 4.9 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 38 ns
典型接通延遲時間: 8.7 ns
單位重量: 20 mg