TAJB227K002RNJ_TAJB227K002RNJ導(dǎo)讀
除了上述適用于電動(dòng)車控制器的NCE80H12以外，還提供風(fēng)華阻容感，長(zhǎng)晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。
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TAJB227M002RNJ
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
。IGBT的結(jié)構(gòu) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。
TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。
MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。 2）、防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋： 1）、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因?yàn)樵谶^壓對(duì)MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。
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TAJE336M035RNJ
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
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NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。
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