TAJB335M016RNJ_TAJB335M016RNJ導(dǎo)讀
有的MOSFET內(nèi)部會(huì)有個(gè)二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
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TLJF227M010R0300
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。 IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET，因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開關(guān)頻率。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
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TAJA336M002RNJ
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
TAJA105M016RNJ TAJA105M020RNJ TAJA105M025RNJ TAJA105M035RNJ TAJA105M050RNJ TAJA106K004RNJ TAJA106K006RNJ TAJA106K010RNJ TAJA106K016RNJ TAJA106M004RNJ 。
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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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