TAJC686K010RNJ_TAJC686K010RNJ導(dǎo)讀
N溝MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS集成電路。
TAJC686K010RNJ_TAJC686K010RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
TAJC107M006RNJ
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會(huì)慢于MOSFET，因?yàn)镮GBT存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于IGBT關(guān)斷拖尾時(shí)間長(zhǎng)，死區(qū)時(shí)間也要加長(zhǎng)，從而會(huì)影響開(kāi)關(guān)頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
對(duì)于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)導(dǎo)通（電壓方向S指向D），此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)截止 ，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很大的電阻，電流就無(wú)法流過(guò)。
TAJC686K010RNJ_TAJC686K010RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
TAJA686M002RNJ
如果控制G的GPIO的電壓區(qū)域?yàn)?.8V，那么GPIO高電平的時(shí)候?yàn)?.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導(dǎo)通，不能夠關(guān)斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導(dǎo)通和關(guān)閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關(guān)斷，低電平使mos管導(dǎo)通。 GPIO為低電平的時(shí)候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導(dǎo)通。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
P溝道的源極S接輸入，漏極D導(dǎo)通輸出，N溝道相反說(shuō)白了給箭頭方向相反的電流就是導(dǎo)通，方向相同就是截止。
TAJC686K010RNJ_TAJC686K010RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
總的來(lái)說(shuō)，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。
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