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制造商: NXP
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.57 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標: NXP Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 11 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
單位重量: 750 mg
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M74VHC1GT50DTT1G ON/安森美
M74LCX16374DTR2G ON/安森美
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US1M-E3/61T VISHAY/威世
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MMBT5551LT1G ON/安森美
SMMBT5551LT1G ON/安森美
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WSL2512R0200FEA18 VISHAY/威世
WSL25123L000FEA18 VISHAY/威世
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