Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
生命周期 Active
Objectid 8313828822
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
制造商包裝代碼 506BT
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 65 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 5.81
雪崩能效等級(jí)（Eas） 47 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 26 A
最大漏極電流 (ID) 7.5 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.041 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 6 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-F6
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級(jí) 1
元件數(shù)量 2
端子數(shù)量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 19 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 57 A
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON
BSP108
BCT3288EGG-TR
GDPXA255A0E400
4809NG
4809NG
FQB2P40
FQB2P40
RTL8188RE-GR
AD5443YRMZ-REEL7
FQB6N45
FQB6N45
FQB6N40C
FQB6N40C
LM75AD
UCC3895DWTR
LD33C
HMC207S8E
LM101AJ
FQD3N60
FQD3N60
FQD3N60CTF
FQD3N60CTM
FQD3N60CTM
FQD3N60CTF
IRFR120A
IRFR120NTRPBF
IRFR1205TRPBF
P80C652FBA
IRFR12N
LM2663MX/NOPB
LM2596T-12
SI7938DP-T1-GE3
BSP78
BSP78
SI1065X-T1-E3
MIC29152BU
MIC29152BU
USB3320C-EZK
SI7366DP-T1-E3
54S36LMQB
54S36LMQB
OP16GZ
FQB4N90
FQB4N90
RSB6.8G
A6276ELWTR-T
