制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 37 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 87 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 114 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 357 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SuperFET II
封裝: Tube
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時(shí)間: 22 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 31.4 S
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 23 ns
系列: FCH099N60E
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 92 ns
典型接通延遲時(shí)間: 24 ns
寬度: 4.82 mm
單位重量: 6 g
FS32K144HFT0VLLT
TJA1043TK/1Y
MIMXRT1052CVL5B
MMBT4401LT1G
MMSD4148T1G
MKE02Z64VLD4
SZMMBZ18VALT1G
MMBT5401LT1G
US1M-E3/61T
HMHA2801AR2
AZ1117H-5.0TRG1
BC847BS,115
MCIMX6Y2CVM08AB
S9KEAZ128AMLH
SKY13323-378LF
TLP291(GB-TP,SE
MMBD701LT1G
TLE9879QXA40XUMA2
