制造商:
onsemi
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
500 V
Id-連續漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導通電阻:
260 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Qg-柵極電荷:
65 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
250 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
UniFET
封裝:
Tube
商標:
onsemi / Fairchild
配置:
Single
下降時間:
60 ns
高度:
16.3 mm
長度:
10.67 mm
產品類型:
MOSFET
上升時間:
120 ns
系列:
FDP20N50F
工廠包裝數量:
1000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
典型關閉延遲時間:
100 ns
典型接通延遲時間:
45 ns
寬度:
4.7 mm
單位重量:
2 g
同公司其他新聞- 09-06LM74700QDBVRQ1
- 09-06STM32F407ZGT6原裝現貨
- 08-23ATSAMHA1G16A-MBT-BVAO優勢現貨
- 07-29AP3429AKTTR-G1
- 07-27IPD50N04S4L-08汽車物料
- 07-27SM08B-CPTK-1A-TBL 汽車物料
